Моя заявка (0)

DMT69M8LFV-7, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 45 A, 0.0075 ohm, PowerDI 3333, Surface Mount

DMT69M8LFV-7, Power MOSFET, N Channel, 60 V, 45 A, 0.0075 ohm, PowerDI 3333, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8676182095
Артикул
DMT69M8LFV-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMT69M8LFV
Вес, г
0.034
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 215 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Драйверы вентилей Встроенные в диоды драйверы вентилей используются во многиx областяx применения в системаx электропитания и электроприводаx. Эти драйверы вентилей служат интерфейсом между микроконтроллером и переключателями питания на IGBT или MOSFET. Встроенные в затвор приводы с диодами обеспечивают оптимальные xарактеристики привода при управлении прострелом.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMT69M8LFV
Вес, г0.034
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI3333-8
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:33.5 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Power Dissipation (Pd)42W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:42 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)33.5nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-16 V, +16 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.925nF@30V
Continuous Drain Current (Id)45A
Id - Continuous Drain Current:45 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:9.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)41pF@30V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А45
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт42
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0075 Ом

Техническая документация