Моя заявка (0)
DMT68M8LFV-7, MOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005059602
Артикул
DMT68M8LFV-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
8.9 ns
Rise Time:
9.6 ns
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 155 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:8.9 ns
Rise Time:9.6 ns
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI5060-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:30 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:56.8 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:5.2 ns
Typical Turn-Off Delay Time:20.5 ns
Id - Continuous Drain Current:69.2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:7.9 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В41
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация