Моя заявка (0)

DMT64M2LPSW-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

DMT64M2LPSW-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062454447
Артикул
DMT64M2LPSW-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
11.2 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
6.9 ns
Цена по запросу
(от 193,26 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:11.2 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:6.9 ns
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI5060-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:46.7 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:2.8 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:6.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:26.1 ns
Id - Continuous Drain Current:20.7 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:4.4 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация