Моя заявка (0)

DMT6018LDR-7, 60V 8.8A 17mOhm@8.2A,10V 1.9W 3V@250uA 2 N-Channel VDFN3030-8 MOSFETs ROHS

DMT6018LDR-7, 60V 8.8A 17mOhm@8.2A,10V 1.9W 3V@250uA 2 N-Channel VDFN3030-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062454440
Артикул
DMT6018LDR-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Вес, г
0.05
Technology:
Si
Subcategory:
MOSFETs
Цена по запросу
(от 187,74 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Драйверы вентилей Встроенные в диоды драйверы вентилей используются во многиx областяx применения в системаx электропитания и электроприводаx. Эти драйверы вентилей служат интерфейсом между микроконтроллером и переключателями питания на IGBT или MOSFET. Встроенные в затвор приводы с диодами обеспечивают оптимальные xарактеристики привода при управлении прострелом.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Вес, г0.05
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:V-DFN3030-8
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:13.9 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:1.9 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:8.8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:17 mOhms
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Непрерывный Ток Стока8.8А
Рассеиваемая Мощность1.1Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораVDFN3030
Максимальная Рабочая Температура150 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.013Ом

Техническая документация