DMT6018LDR-13, 60V 8.8A 26mOhm@4.5V,6.7A 1.1W 3V@250uA 2 N-Channel VDFN3030-8 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062441279
- Артикул
- DMT6018LDR-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 3.05mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 165,07 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот МОП-транзистор нового поколения разработан таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии (RDS(ON)) и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.
Технические параметры
| Width | 3.05mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | V-DFN3030 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Maximum Power Dissipation | 1.9 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13.9 nC @ 10V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 26 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 11.4 A |