Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 11.4 A, 60 V, 8-Pin V-DFN3030 DMT6018LDR-13
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016182529
- Артикул
- DMT6018LDR-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 3.05mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 10000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Этот МОП-транзистор нового поколения разработан таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии (RDS(ON)) и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.
Технические параметры
| Width | 3.05mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | V-DFN3030 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Maximum Power Dissipation | 1.9 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13.9 nC @ 10V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 26 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 11.4 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |