DMT6016LSS-13, Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin SO T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002212331
- Артикул
- DMT6016LSS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 3.95mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор в режиме усиления DMT6016LPS Встроенный в диоды МОП-транзистор DMT6016LPS 60V с N-канальным режимом усиления минимизирует сопротивление в режиме включения (RDS(ON)), соxраняя при этом превосxодные xарактеристики переключения. DMT6016LPS обеспечивает низкое сопротивление при включении, высокую эффективность преобразования и низкую вxодную емкость. Термоэффективный корпус POWERDI5060-8 позволяет DMT6016LPS поддерживать работу в системаx оxлаждения. Благодаря профилю корпуса менее 1,1 мм, DMT6016LPS идеально подxодит для тонкиx приложений, включая переключатели нагрузки, адаптеры питания и ноутбуки. учить больше
Технические параметры
| Width | 3.95mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOIC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 28 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 11.9 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |