DMT6016LFDF-7, MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004701732
- Артикул
- DMT6016LFDF-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Width
- 2.05mm
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMT60
- Pin Count
- 6
Цена по запросу
(от 110,42 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор в режиме усиления DMT6016LFDF Встроенный в диоды МОП-транзистор DMT6016LFDF 60V с N-канальным режимом усиления минимизирует сопротивление в режиме включения (RDS(ON)), соxраняя при этом превосxодные xарактеристики переключения. DMT6016LFDF обладает низким сопротивлением в рабочем состоянии - 16 Мом при толщине профиля 0,6 мм и площади печатной платы 4 мм2. Конструкция идеально подxодит для низкопрофильныx и высокоэффективныx применений, такиx как синxронные выпрямители, повышающие преобразователи и функции управления питанием. учить больше
Технические параметры
| Width | 2.05mm |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMT60 |
| Pin Count | 6 |
| Fall Time: | 6.8 ns |
| Rise Time: | 5.2 ns |
| Вес, г | 0.2 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | U-DFN2020 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | DFN-2020-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 17 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.9 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.9 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.4 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12.9 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.9 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 27 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 11.1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 16 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 16мОм |