DMT6015LPS-13, MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 1.16W 31A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059595
- Артикул
- DMT6015LPS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 1
- Серия
- DMT6015
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 122,76 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 1.16W 31A
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | DMT6015 |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Power Dissipation (Pd) | 1.16W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 18.9nC@10V |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | PowerDI5060-8 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.103nF@30V |
| Continuous Drain Current (Id) | 10.6A;31A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 31 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.16 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 16mΩ |