DMT6010SCT, MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059593
- Артикул
- DMT6010SCT
- Бренд
- DIODES INC.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Mounting
- Through Hole
Цена по запросу
(от 330 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 41V-60V
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1.8 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220 |
| Упаковка | Tube |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Typical Fall Time (ns) | 11.2 |
| Typical Rise Time (ns) | 10.4 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2300 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 36.3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 36.3@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 5.7 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 16.3 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 98 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1940@30V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 7.2@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 41 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |