Моя заявка (0)

DMT6010SCT, Trans MOSFET N-CH 60V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

DMT6010SCT, Trans MOSFET N-CH 60V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002237244
Артикул
DMT6010SCT
Бренд
DIODES INC.
Tab
Tab
PPAP
No
EU RoHS
Compliant with Exemption
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 60V 98A с 3-контактным разъемом (3+ язычка) на трубке TO-220

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусTO-220
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220
УпаковкаTube
Maximum IDSS (uA)1
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Standard Package NameTO
Вид монтажаThrough Hole
Typical Fall Time (ns)11.2
Typical Rise Time (ns)10.4
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum Power Dissipation (mW)2300
Typical Gate Charge @ 10V (nC)36.3
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)36.3@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)5.7
Maximum Drain Source Voltage (V)60
Typical Turn-Off Delay Time (ns)16.3
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаМОП-транзистор
Maximum Continuous Drain Current (A)98
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1940@30V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)7.2@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Размер фабричной упаковки50
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А98
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация