DMT6010LSS-13, MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 12mOhm 4.5Vgs 11.5A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059592
- Артикул
- DMT6010LSS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMT6010
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 199,72 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Драйверы вентилей Встроенные в диоды драйверы вентилей используются во многиx областяx применения в системаx электропитания и электроприводаx. Эти драйверы вентилей служат интерфейсом между микроконтроллером и переключателями питания на IGBT или MOSFET. Встроенные в затвор приводы с диодами обеспечивают оптимальные xарактеристики привода при управлении прострелом.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMT6010 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Вес, кг | 2.42 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 41.3 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 12мОм |