DMT6009LSS-13, MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 12mOhm 4.5Vgs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070122935
- Артикул
- DMT6009LSS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Brand:
- Diodes Incorporated
- EU RoHS
- Compliant
- Series:
- DMT6009
Цена по запросу
(от 148,40 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| PPAP | No |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | DMT6009 |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.75 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SO |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 33.5 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | SO |
| Typical Fall Time (ns) | 15.7 |
| Typical Rise Time (ns) | 8.6 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.6 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Id - Continuous Drain Current: | 10.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1600 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 33.5 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 33.5@10V|15.6@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4.5 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 35.9 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.5 mOhms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 10.8 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1925@30V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 9.5@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |