DMT6009LCT, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061882987
- Артикул
- DMT6009LCT
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 1
- Упаковка
- Tube
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- Through Hole
Цена по запросу
(от 155,91 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 41V-60V
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Упаковка | Tube |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 33.5 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 37.2 A |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 700 mV |