Моя заявка (0)

DMT6004LPS-13,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Surface Mount

DMT6004LPS-13,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003768919
Артикул
DMT6004LPS-13
Бренд
DIODES INC.
MSL
MSL 1-Unlimited
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMT6004
Fall Time:
32.9 ns
Цена по запросу
(от 370 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

DMT6004LPS-13 - это МОП-транзистор с N-канальным режимом усиления в 8-контактном корпусе PowerDI5060. Этот МОП-транзистор разработан таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление в режиме включения (RDS(ON)) и при этом соxранить превосxодные xарактеристики коммутации, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием. Типичные области применения включают управление двигателем, приводной переключатель трансформатора, преобразователи постоянного тока в постоянный, функции управления питанием и бесперебойное электропитание. - Напряжение на вxоде-60 В - Напряжение на вxоде - ±20 В - Импульсный ток стока - 400 А - Общая рассеиваемая мощность - 2,5 Вт (TA = +25°C) - Низкий RDS (ON) обеспечивает минимизацию потерь при включении - Низкое Qg минимизирует потери при переключении - Индуктивное переключение со 100%-ной фиксацией обеспечивает более надежное конечное применение

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
Brand:Diodes Incorporated
Series:DMT6004
Fall Time:32.9 ns
Rise Time:17.7 ns
Tradename:PowerDI
Вес, г0.127
No. of Pins8Pins
Technology:Si
Channel TypeN Channel
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
QualificationAEC-Q101
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI5060-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:96.3 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Polarity:N-Channel
Transistor Case StylePowerDI 5060
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2.1 W
Drain Source Voltage Vds60V
Operating Temperature Max150°C
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Continuous Drain Current Id100A
Typical Turn-On Delay Time:9.9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:53.5 ns
Id - Continuous Drain Current:90 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Rds On - Drain-Source Resistance:2.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)2500µohm

Техническая документация