Diodes Inc DMT47 N-Channel MOSFET, 15.4 A, 49.1 A, 40 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMT47M2SFVWQ-7
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016466359
- Артикул
- DMT47M2SFVWQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series
- DMT47
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 5.59 ns
Цена по запросу
(от 250 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
8-контактный МОП-транзистор DiodesZetex 40 В с N-канальным режимом усиления напряжения разработан в соответствии со строгими требованиями автомобильного применения.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series | DMT47 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 5.59 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 4.54 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerDI3333-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerDI3333-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12.1 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.67 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.36 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12.1 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 49.1 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0075 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 15.4 A, 49.1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 27.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |