DMT47M2SFVWQ-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004701728
- Артикул
- DMT47M2SFVWQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series
- DMT47
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 5.59 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор DMT47M2SFVWQ Встроенный в диоды N-канальный МОП-транзистор DMT47M2SFVWQ - это МОП-транзистор с усилением напряжения на 40 В, отличающийся высокой добротностью и низким уровнем шума. Низкий уровень RS (ON) обеспечивает минимальные потери при включении. Этот МОП-транзистор обеспечивает надежное конечное применение благодаря 100%-ному индуктивному переключению и испытаниям в процессе производства. МОП-транзистор DMT47M2SFVWQ разработан в соответствии со строгими требованиями автомобильной промышленности. N-канальный МОП-транзистор имеет смачиваемую поверxность для улучшения оптического контроля. Этот МОП-транзистор не содержит свинца, полностью соответствует требованиям RoHS, поддерживает теxнологию PPAP, не содержит галогенов и сурьмы, а также соответствует стандарту AEC-Q101. Типичные области применения - управление двигателем, функции управления питанием, преобразователи постоянного тока в постоянный и в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series | DMT47 |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 5.59 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 4.54 ns |
| Вес, г | 69 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerDI3333-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerDI3333-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12.1 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.67 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.36 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12.1 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 49.1 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0075 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 15.4 A, 49.1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 31 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 27.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |