DMT47M2LDVQ-7, PowerDI-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062454451
- Артикул
- DMT47M2LDVQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 8.53 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 5.41 ns
Цена по запросу
(от 209 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор DMT47M2LDVQ с двумя N-канальными транзисторами в режиме усиления Двуxканальный МОП-транзистор Diodes Inc. DMT47M2LDVQ Dual N-Channel с улучшенным режимом работы - это МОП-транзистор на 40 В с низким коэффициентом усиления (ON), который минимизирует потери при включении. Устройство обладает низкой вxодной емкостью и высокой скоростью переключения. МОП-транзистор Diodes Inc. DMT47M2LDVQ разработан в соответствии со строгими требованиями, предъявляемыми к автомобилям. Он соответствует стандарту AEC-Q101 и поддерживается PPAP.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 8.53 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 5.41 ns |
| Вес, г | 0.09 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerDI3333-8 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 14 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 2.34 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.95 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 30.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2000 |