Моя заявка (0)
DMT4011LFG-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004613430
Артикул
DMT4011LFG-13
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
0.03
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
15.6Вт
Структура
MOSFET
Цена по запросу
(от 160 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 31V-40V

Технические параметры

Вес, г0.03
Channel TypeN Channel
Power Dissipation15.6Вт
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
Квалификация-
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокPowerDI3333-8
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора15.1 nC
Drain Source On State Resistance0.0092Ом
Линейка Продукции-
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов8вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока30А
Рассеиваемая Мощность15.6Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs3В
Pd - рассеивание мощности15.6 W
Id - непрерывный ток утечки30 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораPowerDI 3333
Vgs - напряжение затвор-исток16 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток11.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Пороговое напряжение на затворе3V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В31
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0092Ом
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация