Моя заявка (0)
DMT4004LPS-13, Trans MOSFET N-CH 40V 26A 8-Pin PowerDI EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025758648
Артикул
DMT4004LPS-13
Бренд
DIODES INC.
PPAP
No
EU RoHS
Compliant with Exemption
Mounting
Surface Mount
ECCN (US)
EAR99
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 40V 26A с 8-контактным разъемом PowerDI EP T/R

Технические параметры

PPAPNo
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackagePowerDI EP
УпаковкаReel, Cut Tape
Maximum IDSS (uA)1
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Typical Fall Time (ns)7.9
Typical Rise Time (ns)13.3
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаDiodes Incorporated
Упаковка / блокPowerDI5060-8
Maximum Power Dissipation (mW)2600
Typical Gate Charge @ 10V (nC)82.2
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)34.6@4.5V|82.2@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)5.9
Maximum Drain Source Voltage (V)40
Typical Turn-Off Delay Time (ns)25.9
Maximum Gate Threshold Voltage (V)3
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Категория продуктаМОП-транзистор
Maximum Continuous Drain Current (A)26
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)4508@20V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)2.5@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Размер фабричной упаковки2500
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А26
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация