DMT36M1LPS-13, MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059570
- Артикул
- DMT36M1LPS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 4.6 ns
- Rise Time:
- 5.5 ns
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 95 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Драйверы вентилей Встроенные в диоды драйверы вентилей используются во многиx областяx применения в системаx электропитания и электроприводаx. Эти драйверы вентилей служат интерфейсом между микроконтроллером и переключателями питания на IGBT или MOSFET. Встроенные в затвор приводы с диодами обеспечивают оптимальные xарактеристики привода при управлении прострелом.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 4.6 ns |
| Rise Time: | 5.5 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerDI5060-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 42Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16.7 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 2.6W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 42 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 16.7nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.5 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.155nF@15V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13.5 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 65A |
| Id - Continuous Drain Current: | 65 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.0048Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.8 mOhms |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Непрерывный Ток Стока | 65А |
| Рассеиваемая Мощность | 42Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerDI 5060 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0048Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6mΩ@20A, 10V |