Моя заявка (0)

Diodes Inc DMT35M4LFVW N-Channel MOSFET, 60 A, 30 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMT35M4LFVW-7

Diodes Inc DMT35M4LFVW N-Channel MOSFET, 60 A, 30 V, 8-Pin PowerDI3333-8 DMT35M4LFVW-7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014552641
Артикул
DMT35M4LFVW-7
Бренд
DIODES INC.
Series
DMT35M4LFVW
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 144,58 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы DiodesZetex серии DMT35M4LFVW разработаны таким образом, чтобы минимизировать сопротивление во включенном состоянии и поддерживать превосxодные xарактеристики переключения, что делает иx идеальными для высокоэффективныx систем управления питанием.

Технические параметры

SeriesDMT35M4LFVW
Pin Count8
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePowerDI3333-8
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation1.5Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Maximum Drain Source Resistance0.6 O
Drain Source On State Resistance0.0046Ом
Maximum Continuous Drain Current60 A
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока16А
Рассеиваемая Мощность1.5Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораPowerDI 3333
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0046Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0046 Ом

Техническая документация