Моя заявка (0)
DMT35M4LFDF-7, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070054523
Артикул
DMT35M4LFDF-7
Бренд
DIODES INC.
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
860мВт
Drain Source On State Resistance
0.0049Ом
Цена по запросу
(от 64,31 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN Channel
Power Dissipation860мВт
Drain Source On State Resistance0.0049Ом
Количество Выводов6вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока13А
Рассеиваемая Мощность860мВт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораUDFN2020
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0049Ом