DMT35M4LFDF-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005475245
- Артикул
- DMT35M4LFDF-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 62
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 860мВт
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 101 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 62 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 860мВт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.0049Ом |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 13А |
| Рассеиваемая Мощность | 860мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | UDFN2020 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0049Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |