Моя заявка (0)

DMT3020LDV-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K

DMT3020LDV-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 3K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004701726
Артикул
DMT3020LDV-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
2.4 ns
Rise Time:
1.9 ns
Вес, г
0.03
Цена по запросу
(от 113 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

DMTx-МОП-транзисторы МОП-транзисторы DMTx, оснащенные диодами, представляют собой N-канальные МОП-транзисторы с режимом усиления, низким сопротивлением при включении и быстрым переключением. Эти МОП-транзисторы также разработаны в соответствии со строгими требованиями автомобильной промышленности. Встроенные в диоды DMTx-МОП-транзисторы идеально подxодят для высокоэффективного управления питанием.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:2.4 ns
Rise Time:1.9 ns
Вес, г0.03
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI3333-8
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:7 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.9 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:1.8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:7.5 ns
Id - Continuous Drain Current:32 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:20 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация