Моя заявка (0)

Diodes Inc DMT Plastic N-Channel MOSFET, 10.6 A, 30 V, 8-Pin V-DFN3030 DMT3009UDT-7

Diodes Inc DMT Plastic N-Channel MOSFET, 10.6 A, 30 V, 8-Pin V-DFN3030 DMT3009UDT-7

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8069447607
Артикул
DMT3009UDT-7
Бренд
DIODES INC.
Series
DMT
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 96 ₽)
Минимальный заказ: 1500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Двуxканальный МОП-транзистор DiodesZetex Dual n-channel enhancement mode разработан таким образом, чтобы минимизировать сопротивление в режиме включения (RDS(ON)) при соxранении превосxодныx xарактеристик переключения, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.

Технические параметры

SeriesDMT
Pin Count8
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeV-DFN3030
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialPlastic
Особенности-
Power Dissipation N Channel1.1Вт
Power Dissipation P Channel1.1Вт
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Gate Threshold Voltage1.8V
Maximum Drain Source Resistance0.011 O
Maximum Continuous Drain Current10.6 A
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока10.6А
Рассеиваемая Мощность1.1Вт
Drain Source On State Resistance N Channel0.0086Ом
Drain Source On State Resistance P Channel0.0086Ом
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1.8В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораV-DFN3030
Непрерывный Ток Стока, N Канал10.6А
Непрерывный Ток Стока, P Канал10.6А
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал30В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал30В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0086Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А10.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0086 Ом

Техническая документация