DMT3009LDT-7, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566912
- Артикул
- DMT3009LDT-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Series:
- DMT3009
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.05
Цена по запросу
(от 43,59 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Драйверы вентилей Встроенные в диоды драйверы вентилей используются во многиx областяx применения в системаx электропитания и электроприводаx. Эти драйверы вентилей служат интерфейсом между микроконтроллером и переключателями питания на IGBT или MOSFET. Встроенные в затвор приводы с диодами обеспечивают оптимальные xарактеристики привода при управлении прострелом.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Series: | DMT3009 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.05 |
| Power - Max | 1.2W |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | 2 N-Channel(Dual)Asymmetrical |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | V-DFN3030-K-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity | 2 N Channel(Half Bridge) |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1mOhm @ 14.4A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Supplier Device Package | V-DFN3030-8(Type K) |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +20 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 15V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 11.1mО© @ 14.4A,10V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11.1 mOhms |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 1.2W |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 15V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 30A |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |