Моя заявка (0)
DMT3006LPB-13, MOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012197412
Артикул
DMT3006LPB-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
1.8 ns, 4.6 ns
Rise Time:
3.3 ns, 5.5 ns
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 97,85 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:1.8 ns, 4.6 ns
Rise Time:3.3 ns, 5.5 ns
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:PowerDI5060-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:12.6 nC, 16.7 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Особенности-
Pd - Power Dissipation:30 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:4.6 ns, 3.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:10.2 ns, 13.5 ns
Id - Continuous Drain Current:35 A, 50 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:11.1 mOhms, 6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация