Моя заявка (0)
DMT3006LFV-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070081094
Артикул
DMT3006LFV-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
4.6 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
5.5 ns
Цена по запросу
(от 102,72 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

DMTx-МОП-транзисторы МОП-транзисторы DMTx, оснащенные диодами, представляют собой N-канальные МОП-транзисторы с режимом усиления, низким сопротивлением при включении и быстрым переключением. Эти МОП-транзисторы также разработаны в соответствии со строгими требованиями автомобильной промышленности. Встроенные в диоды DMTx-МОП-транзисторы идеально подxодят для высокоэффективного управления питанием.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:4.6 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:5.5 ns
Вес, г0.03
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI3333-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:8.4 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:13.5 ns
Id - Continuous Drain Current:60 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:5.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация