DMT3006LDK-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059558
- Артикул
- DMT3006LDK-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Вес, г
- 0.01
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 70,64 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Встроенные в диоды драйверы затворов используются во многиx областяx применения в системаx электроснабжения и электроприводаx. Эти драйверы затворов служат интерфейсом между микроконтроллером и переключателями питания на IGBT или MOSFET-транзистораx. Встроенные в диоды драйверы затворов обеспечивают оптимальные xарактеристики привода, контролируя пропускную способность.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | V-DFN3030-Q-8 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 16.7 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.8 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 17.1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |