DMT2004UFDF-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005475240
- Артикул
- DMT2004UFDF-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 38.6 ns
- Rise Time:
- 9.6 ns
- Вес, г
- 0.01
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы DMT2004UF с N-канальным режимом усиления, оснащенные встроенными диодами. МОП-транзистор DMT2004UF - это 24-вольтовый МОП-транзистор с N-канальным режимом усиления, разработанный с профилем 0,6 мм и занимаемой площадью 4 мм2. МОП-транзистор DMT2004UF, соответствующий стандартам AEC-Q101 для обеспечения высокой надежности, минимизирует сопротивление при включении, соxраняя при этом отличные xарактеристики коммутации. МОП-транзистор DMT2004UF имеет сопротивление во включенном состоянии 4,8-12,5 Мом, пороговое напряжение на затворе 0,55-1,45 В, постоянный ток стока 11,2-14,1 А и рассеиваемую мощность 12,5 Вт. Производительность коммутации включает в себя время отключения 38,6 нс, время увеличения времени включения 9,6 нс, типичное время задержки выключения 30,8 нс, типичное время задержки включения 3,9 нс и время восстановления 11,2 нс. Конструкция N-канального МОП-транзистора DMT2004UF с режимом усиления 24 В делает это устройство идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 38.6 ns |
| Rise Time: | 9.6 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | DFN-2020-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 53.7 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 12.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30.8 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 14.1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 24 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 550 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |