Моя заявка (0)

DMT15H017LPS-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V-250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

DMT15H017LPS-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V-250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004701725
Артикул
DMT15H017LPS-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
17.7 ns
Rise Time:
16.3 ns
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 266 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:17.7 ns
Rise Time:16.3 ns
Вес, г0.1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:PowerDI5060-8
Product Type:MOSFET
REACH - SVHC:Details
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:50 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1.3 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:10.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:44.6 ns
Id - Continuous Drain Current:9.4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:17.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В101
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация