DMT12H090LFDF4-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 101V-250V X2-DFN2020-6 T&R 3K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062883108
- Артикул
- DMT12H090LFDF4-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 3.9 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 2.6 ns
Цена по запросу
(от 155,50 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 3.9 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 2.6 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | X2-DFN2020-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 6 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 900 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9.3 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 90 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 115 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |