Моя заявка (0)

DMT12H065LFDF-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K

DMT12H065LFDF-7, MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018737748
Артикул
DMT12H065LFDF-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
3.6 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
2 ns
Цена по запросу
(от 126,42 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент силовыx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:3.6 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:2 ns
Вес, г0.06
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:U-DFN2020-6
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:5.5 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:1 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:2.1 ns
Typical Turn-Off Delay Time:10 ns
Id - Continuous Drain Current:4.3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:65 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:115 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.2 V
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В61
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация