DMT12H060LFDF-7, Transistor: N-MOSFET; unipolar
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062883696
- Артикул
- DMT12H060LFDF-7
- Бренд
- DIODES INC.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±8V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.1
Цена по запросу
(от 114,70 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 115 В 4,4 А (Ta) 1,1 Вт (Ta) для поверxностного монтажа U-DFN2020-6 (тип F)
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.1 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-UDFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 3A, 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W(Ta) |
| Supplier Device Package | U-DFN2020-6(Type F) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8 nC @ 4.5 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 115 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 475 pF @ 50 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A(Ta) |