Моя заявка (0)

DMT10H9M9LCT, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 101 A, 0.0067 ohm, TO-220AB, Through Hole

DMT10H9M9LCT, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 101 A, 0.0067 ohm, TO-220AB, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009193428
Артикул
DMT10H9M9LCT
Бренд
DIODES INC.
Pin Count
3
Вес, г
3
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 460 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

DiodesZetex - это МОП-транзистор нового поколения с N-канальным режимом усиления, разработанный для минимизации сопротивления в режиме включения (RDS(ON)) при соxранении высокой скорости переключения, что делает его идеальным для высокоэффективныx систем управления питанием.

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г3
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeTO-220AB
КорпусTO-220AB
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation156Вт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage100 V
Maximum Gate Threshold Voltage2.5V
Maximum Drain Source Resistance0.014 Ω
Drain Source On State Resistance0.0067Ом
Maximum Continuous Drain Current101 A
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока101А
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220AB
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А101
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0067 Ом

Техническая документация