DMT10H072LFDFQ-7, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043844670
- Артикул
- DMT10H072LFDFQ-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 4.3 ns
- Rise Time:
- 3.1 ns
Цена по запросу
(от 78,12 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы Встроенные в диоды автомобильные МОП-транзисторы отвечают строгим требованиям стандарта надежности AEC-Q101 Совета по автомобильной электронике (Automotive Electronics Council). Продукты с суффиксом "Q" означают, что они предназначены для использования в автомобилестроении. Это означает, что устройство соответствует строгому стандарту AEC-Q101 и полностью поддерживается для применения в автомобилестроении. МОП-транзисторы обеспечивают поддержку клиентов с помощью PPAP (процесса утверждения производственныx деталей) и производственныx площадок, одобренныx TS16949.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 4.3 ns |
| Rise Time: | 3.1 ns |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | U-DFN2020-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.5 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1.8W |
| Pd - Power Dissipation: | 1.8 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 4.5nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 228pF@50V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 12.3 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 4A |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 62 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |