DMT10H072LFDF-7, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 4 A, 0.047 ohm, UDFN2020, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003749830
- Артикул
- DMT10H072LFDF-7
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.127
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 800мВт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 240 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.127 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 800мВт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.047Ом |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 4А |
| Рассеиваемая Мощность | 800мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | UDFN2020 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.047Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.047 Ом |