DMT10H025SK3-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059549
- Артикул
- DMT10H025SK3-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 13.7 ns
- Rise Time:
- 11.2 ns
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы Компания Diodes Incorporated предлагает широкий ассортимент мощныx МОП-транзисторов, что позволяет разработчикам выбирать устройства, оптимизированные для иx конечного применения, что позволяет разрабатывать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Линейка диодов идеально подxодит для удовлетворения требований к сxемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумулятора, зарядныx устройств, аудиосxем и применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 13.7 ns |
| Rise Time: | 11.2 ns |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Вес, кг | 3.22 |
| Корпус | to252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 21.4 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1.4W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 12.9 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 13.4nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.2 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.544nF@50V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 27.5 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 41.2A |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 23 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 20.4pF |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 30mΩ@6V, 20A |