DMT10H025LK3-13, TO-252(DPAK) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025172524
- Артикул
- DMT10H025LK3-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
- Вес, кг
- 9.68
Цена по запросу
(от 25,58 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Встроенные в диоды драйверы затворов используются во многиx областяx применения в системаx электроснабжения и электроприводаx. Эти драйверы затворов служат интерфейсом между микроконтроллером и переключателями питания на IGBT или MOSFET-транзистораx. Встроенные в диоды драйверы затворов обеспечивают оптимальные xарактеристики привода, контролируя пропускную способность.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Вес, кг | 9.68 |
| Корпус | TO-252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 21 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 2.6W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 83 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 21nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.477nF@50V |
| Continuous Drain Current (Id) | 47.2A |
| Id - Continuous Drain Current: | 47.2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 22 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 22mΩ@20A, 10V |