Моя заявка (0)

DMT10H015LK3-13, Trans MOSFET N-CH 100V 52.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

DMT10H015LK3-13, Trans MOSFET N-CH 100V 52.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002244608
Артикул
DMT10H015LK3-13
Бренд
DIODES INC.
HTS
8541.29.00.95
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
TabTab
PPAPNo
SVHCYes
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width6.1
Package Height2.29
Package Length6.58
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
Maximum IDSS (uA)1
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-252
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)8.1
Typical Rise Time (ns)7
Особенности-
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)2900
Typical Gate Charge @ 10V (nC)33.3
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)33.3@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)6.5
Maximum Drain Source Voltage (V)100
Typical Turn-Off Delay Time (ns)19.7
Maximum Gate Threshold Voltage (V)3.5
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)52.7
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1871@50V
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)15@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А52.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2.9
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В