Моя заявка (0)

DMT10H015LFG-7, 100V 42A 35W 13.5mOhm@10V,20A 3.5V@250uA 1 N-channel PowerDI3333-8 MOSFETs ROHS

DMT10H015LFG-7, 100V 42A 35W 13.5mOhm@10V,20A 3.5V@250uA 1 N-channel PowerDI3333-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044784255
Артикул
DMT10H015LFG-7
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Series:
DMT10
Fall Time:
8.1 ns
Rise Time:
7 ns
Цена по запросу
(от 512 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

DMTx-МОП-транзисторы МОП-транзисторы DMTx, оснащенные диодами, представляют собой N-канальные МОП-транзисторы с режимом усиления, низким сопротивлением при включении и быстрым переключением. Эти МОП-транзисторы также разработаны в соответствии со строгими требованиями автомобильной промышленности. Встроенные в диоды DMTx-МОП-транзисторы идеально подxодят для высокоэффективного управления питанием.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Series:DMT10
Fall Time:8.1 ns
Rise Time:7 ns
Tradename:PowerDI
Вес, г0.09
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI3333-8
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:33.3 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:2 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:6.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:19.7 ns
Id - Continuous Drain Current:42 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:13.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2000

Техническая документация