DMT10H014LSS-13, MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005059544
- Артикул
- DMT10H014LSS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Вес, г
- 0.75
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 154,09 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
DMTx-МОП-транзисторы МОП-транзисторы DMTx, оснащенные диодами, представляют собой N-канальные МОП-транзисторы с режимом усиления, низким сопротивлением при включении и быстрым переключением. Эти МОП-транзисторы также разработаны в соответствии со строгими требованиями автомобильной промышленности. Встроенные в диоды DMTx-МОП-транзисторы идеально подxодят для высокоэффективного управления питанием.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Вес, г | 0.75 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 33.3 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.67 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 15 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 61 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |