Моя заявка (0)

DMT10H010SPS-13, 100V 139W 8.8mOhm@10V,13A 4V 1 N-channel PowerDI5060-8 MOSFETs ROHS

DMT10H010SPS-13, 100V 139W 8.8mOhm@10V,13A 4V 1 N-channel PowerDI5060-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8052894452
Артикул
DMT10H010SPS-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
29.5 ns
Rise Time:
22.5 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 302 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

DMTx-МОП-транзисторы МОП-транзисторы DMTx, оснащенные диодами, представляют собой N-канальные МОП-транзисторы с режимом усиления, низким сопротивлением при включении и быстрым переключением. Эти МОП-транзисторы также разработаны в соответствии со строгими требованиями автомобильной промышленности. Встроенные в диоды DMTx-МОП-транзисторы идеально подxодят для высокоэффективного управления питанием.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:29.5 ns
Rise Time:22.5 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerDI5060-8
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:56.4 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:139 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:18.6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:44.8 ns
Id - Continuous Drain Current:113 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:8.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500

Техническая документация