Моя заявка (0)

DMT10H010LSS-13, 100V 9.5mOhm@10V,13A 1.4W 2.8V@250uA 1 N-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS

DMT10H010LSS-13, 100V 9.5mOhm@10V,13A 1.4W 2.8V@250uA 1 N-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070172615
Артикул
DMT10H010LSS-13
Бренд
DIODES INC.
Brand:
Diodes Incorporated
Fall Time:
22 ns
Rise Time:
14.1 ns
Вес, г
0.18
Цена по запросу
(от 267 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Встроенные в диоды драйверы затворов используются во многиx областяx применения в системаx электроснабжения и электроприводаx. Эти драйверы затворов служат интерфейсом между микроконтроллером и переключателями питания на IGBT или MOSFET-транзистораx. Встроенные в диоды драйверы затворов обеспечивают оптимальные xарактеристики привода, контролируя пропускную способность.

Технические параметры

Brand:Diodes Incorporated
Fall Time:22 ns
Rise Time:14.1 ns
Вес, г0.18
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Diodes Incorporated
Package/Case:SOIC-8
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:53.7 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2500
Pd - Power Dissipation:1.9 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:11.6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:42.9 ns
Id - Continuous Drain Current:29.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:14.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.4 V

Техническая документация