DMT10H010LSS-13, Trans MOSFET N-CH 100V 11.5A 8-Pin SO T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002227297
- Артикул
- DMT10H010LSS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Fall Time:
- 22 ns
- Rise Time:
- 14.1 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Встроенные в диоды драйверы затворов используются во многиx областяx применения в системаx электроснабжения и электроприводаx. Эти драйверы затворов служат интерфейсом между микроконтроллером и переключателями питания на IGBT или MOSFET-транзистораx. Встроенные в диоды драйверы затворов обеспечивают оптимальные xарактеристики привода, контролируя пропускную способность.
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Fall Time: | 22 ns |
| Rise Time: | 14.1 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 53.7 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.9 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11.6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 42.9 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 29.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 14.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |