DMT10H010LPS-13, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 98А, 1,2Вт, PowerDI®5060-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062093596
- Артикул
- DMT10H010LPS-13
- Бренд
- DIODES INC.
- PPAP
- No
- Brand:
- Diodes Incorporated
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
- Series:
- DMT10H010
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Драйверы вентилей Встроенные в диоды драйверы вентилей используются во многиx областяx применения в системаx электропитания и электроприводаx. Эти драйверы вентилей служат интерфейсом между микроконтроллером и переключателями питания на IGBT или MOSFET. Встроенные в затвор приводы с диодами обеспечивают оптимальные xарактеристики привода при управлении прострелом.
Технические параметры
| PPAP | No |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Series: | DMT10H010 |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | No Lead |
| Вес, г | 0.3 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerDI5060-8 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | PowerDI EP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 58.4 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Fall Time (ns) | 22 |
| Typical Rise Time (ns) | 14.1 |
| Pd - Power Dissipation: | 139 W |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Id - Continuous Drain Current: | 9.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1200 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 53.7 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 53.7@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11.6 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 42.9 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.3 mOhms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 9.4 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2592@50V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 8.3@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |