DMT10H010LK3-13, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 55А; Idm: 275А; 3Вт; DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061934735
- Артикул
- DMT10H010LK3-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Type
- N Channel
- Brand:
- Diodes Incorporated
- Вес, г
- 0.46
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 630 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 68,8 А 8.8mOhm@10V,13A 3 Вт 3 В при 250uA N-канальный TO-252 МОП-транзистора, соответствующий требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Вес, г | 0.46 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 53.7 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Power Dissipation (Pd) | 3W |
| Pd - Power Dissipation: | 62.5 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 53.7nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.592nF@50V |
| Continuous Drain Current (Id) | 68.8A |
| Id - Continuous Drain Current: | 68.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |