DMT10H009SK3-13, Power MOSFET, N Channel, 100 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003635982
- Артикул
- DMT10H009SK3-13
- Бренд
- DIODES INC.
- Вес, г
- 0.2
- Channel Type
- N Channel
- Корпус
- TO-252
- Power Dissipation
- 1.7Вт
Цена по запросу
(от 276 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.2 |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | TO-252 |
| Power Dissipation | 1.7Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.0069Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 91А |
| Рассеиваемая Мощность | 1.7Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252 |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0069Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 91 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0069 Ом |