Моя заявка (0)
DMT10H009LPS-13, 100V 8mOhm PowerDI5060-8 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062093565
Артикул
DMT10H009LPS-13
Бренд
DIODES INC.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
1.63
Цена по запросу
(от 82 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 100 В, 10 А (Ta), 90 А (Tc), 1,3 Вт (Ta) для поверxностного монтажа PowerDI5060-8

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1.63
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)1.3W(Ta)
Supplier Device PackagePowerDI5060-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2309 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A(Ta), 90A(Tc)

Техническая документация